ドキュメント

従来のICでは、全ての回路がシリコン上に形成され、別のレイヤーに形成される絶縁体やインターコネクトは、配線や機械的な強度を確保するためにだけ使用されています。これに対し、サンディスク独自の3-Dアーキテクチャでは、複数のレイヤーのメモリセルをシリコン上だけではなく垂直方向に形成することにより、シリコンのダイサイズによるメモリ制限以上の容量を可能にしていますサンディスクはこのまったく新しい高集積化アプローチにより、従来の技術に比べてはるかに小さなダイサイズのチップの製造を可能にし、高価なシリコンを効率よく使用することで、製造利益を大幅に上げると共に、コストを下げることに成功しています。この抜本的な技術革新により、サンディスクはメモリーを極めて低価格で販売することができます。

SanDisk 3D OTP（One-Time-Programmable）メモリーは、低コストで、1回のみ書き込み可能な不揮発性メモリーです。SanDisk 3D-OTPメモリーには、各アドレスを1回のみプログラム可能な独自のOTPメモリーアレイが組み込まれています。メモリーをプログラムする場合は、電荷を保存するのではなく、メモリー構造を物理的に完全に変化させます。このため、電荷漏れやデータ破損など信頼性の問題を排除できます。